【计】 金属氧化物半导体场效应晶体管

高级峰值检测器自动以切断功率管输出和线性电流保证电池能被100%充满而不会导致过冲。

基于能量输运模型对由凹槽深度改变引起的负结深的变化对深亚微米槽栅PMOSFET性能的影响进行了分析，对所得结果从器件内部物理机制上进行了讨论，最后与由漏源结深变化导致的负结深的改变对器件特性的影响进行了对比.研究结果表明随着负结深(凹槽深度

郑培璿，电力电子分析与模拟，第3-9?3-27页，台北，全华科技图书股份有限公司，民国九十一年。

摘要讨论了影响沟道长度及沟道的夹断区长度的因素，通过沟道区的优化促进了VDMOSFET性能的提高。

采用巴丁 (Bardeen)传输哈密顿方法 ,数值计算了 p沟道锗 /硅异质纳米结构存储器的时间特性 .

substrate bias effect of MOSFET【电子】

floating gate avalanche injection MOSFET【电子】

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read-write MOSFET【电子】

MOSFET

buried-channel MOSFET【电子】