摘要提出一种二氧化矽／多晶矽／二氧化矽夹心深槽场限制环新结构来提高晶体管的击穿电压。
【运输】击穿电压
breakdown voltage
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相关例句
文摘:提出一种二氧化硅/多晶硅/二氧化硅夹心深槽场限制环新结构来提高晶体管的击穿电压.模拟结果显示,该结构可以使射频功率双极性晶体管的击穿电压几乎100％达到平行平面结的理想值.
模拟结果显示，该结构可以使射频功率双极性晶体管的击穿电压几乎100%达到平行平面结的理想值。
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