多晶物质

摘要研究了多晶体材料在高温蠕变下的空洞出现位置和损伤特点，认为同一组织下空洞的出现及蠕变损伤的位置与晶粒尺寸有关系，晶粒尺寸小的部位易发生损伤。

polycrystalline silicon

polycrystalline

single crystals or homogeneous polycrystalline

polycrystalline polymer

polycrystalline silicon

doped polycrystalline silicon diffusion【电子】

of homogeneous polycrystalline material with defined structure

polycrystalline substrate【电子】